UGB12JTHE3/81
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division UGB12JTHE3/81
| Artikelnummer: | UGB12JTHE3/81 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 600V 12A TO263AB |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
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| Aktie: |
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division UGB12JTHE3/81 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments UGB12JTHE3/81.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.75 V @ 12 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 600 V Technologie Standard Supplier Device-Gehäuse TO-263AB (D²PAK) Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Serie Automotive, AEC-Q101 Rückwärts-Erholzeit (Trr) 50 ns Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C Befestigungsart Surface Mount Strom - Sperrleckstrom @ Vr 30 µA @ 600 V Strom - Richt (Io) 12A Kapazität @ Vr, F - Grundproduktnummer UGB12 UGB12JTHE3/81 Einzelheiten PDF [English] UGB12JTHE3/81 PDF - EN.pdf -
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